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Online-Shop mit kurzen Lieferzeiten und geringe... Zubehör Elektronik Toshiba 2SK1530 Y MOS-FET N-Channel

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Toshiba 2SK1530 Y MOS-FET N-Channel

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Toshiba Field Effect Transistor N Channel MOS Type für Audio Anwendungen
Sie bieten auf 1 Stück Toshiba FET N Channel MOS Type 2SK1530 for High Power Amplifier Application
Menge: 1 Stück
Bezeichnung: 2SK1530 Y (F)
Drain−source voltage VDSS: 200 V
Drain current ID: 12 A (use devices on condition that the channel temperature is below 150°C)
Drain power dissipation PD: 150 W
VGS (OFF) Classification: Y: 1.4~2.8
Funktion: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 
Applications: High Power Amplifier Application 
Complementary to: 2SJ201
Hersteller: Toshiba
Zustand: neu, Original Herstellerware
Achtung: ESD-empfindliches Bauteil
Auslieferung erfolgt in ESD-sicherer Verpackung

Toshiba 2SK1530 Field Effect Transistor N Channel MOS Type für Audio Anwendungen

Toshiba FET N Channel MOS Type 2SK1530 for High Power Amplifier Application

Menge: 1 Stück

Bezeichnung: 2SK1530 Y (F)

 

Technische Daten:
- Drain−source voltage VDSS: 200 V
- Drain current ID: 12 A (use devices on condition that the channel temperature is below 150°C)
- Drain power dissipation PD: 150 W
- VGS (OFF) Classification: Y: 1.4~2.8
- Funktion: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 
- Applications: High Power Amplifier Application 
- Complementary to: 2SJ201
- Hersteller: Toshiba

- Zustand: neu, Original Herstellerware

- Achtung: ESD-empfindliches Bauteil

- Auslieferung: erfolgt in ESD-sicherer Verpackung

Datenblatt

 

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